​​全球非揮發性記憶體領導廠商旺宏電子今(10/3)日表示，旺宏電子前瞻技術實驗室先進記憶體研發部陳逸舟博士所發表的多項相變化記憶體（Phase Change Memory）研發成果，由於表現傑出，不但深受國內外矚目，也榮獲2008年經濟部第十六屆產業科技發展獎之「傑出青年創新獎」。這是旺宏電子繼去年由呂函庭博士以BE-SONOS(Bandgap Engineered SONOS) 元件贏得這項獎項後，旺宏電子的研發人員再度獲得此項殊榮，也是國內唯一連續兩屆獲得這項肯定的半導體廠商，顯示旺宏電子戮力開發自有技術與產品的理念深耕有成，對於提昇台灣高科技產業全球競爭力的努力，再次展現了具體的實績。
陳逸舟博士於2000年加入旺宏電子研發團隊，他在2003年所發表的「無電晶體相變化記憶體」論文，利用相變化材料起始電壓可調變的特色，發展出無電晶體的新型相變化記憶體，由於其技術具備高度獨創性，因此獲得紐約時報與日經電子等國際媒體報導，間接促成爾後旺宏電子與IBM及Qimonda在相變化記憶體的跨國合作。
2006年，陳博士代表旺宏電子/IBM/Qimonda之跨國研發聯盟發表全世界最微小之相變化記憶體，利用新發明的材料與結構，配合高精度製作技術，成功完成截面積3奈米x 20奈米之相變化記憶體，突破現有記憶體的微縮瓶頸，驗證半導體技術藍圖(ITRS Roadmap) 10年後技術的可行性。該篇論文不但獲選為2006年IEDM (國際電子元件會議)年度最重要論文，陳博士更於2007年獲邀於ISSCC(國際固態電子電路會議)發表專題演講，皆為國內科技業難得之殊榮。包括美國紐約時報(The New York Times)，美國華爾街日報(The Wall Street Journal)，日本日經新聞，英國自然雜誌(The Nature Journal)，美國公共電視台等國際媒體皆有大篇幅報導。2007年國際知名研究機構Frost & Sullivan也針對此項研發結果，頒予旺宏電子2007年亞太地區傑出研發成果獎的肯定。
此外，陳博士於2007年發表利用演算法技巧所發展出之四倍密多位元記憶體技術，技術領先國際各大廠，並於2008年獲邀於日本Semiconductor Memory Symposium(半導體記憶體大會)給予專題演講。今年九月也受邀於歐洲相變化科學研討會(E\PCOS)發表論文，並獲選為年度最佳論文。
由於陳博士表現優異，國際知名會議組織SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials)於2008年邀請陳博士擔任技術委員。此外，旺宏電子於2005年獲經濟部技術處核准之科專計畫─「相變化非揮發隨機存取記憶體研發計畫」，陳博士即擔任協同計畫主持人，該計畫在陳博士的細心規劃與團隊用心執行下，也榮獲2008年經濟部技術處科專績優計畫之「卓越研發成果獎」。
陳博士在學生時代即展現他對於物理的高度興趣，他在高二時即榮獲第三十一屆全國科展物理組第一名，並於同一年跳級考進台大化學工程學系。26歲時即順利獲得博士學位，不但成為系上最年輕的博士，博士論文並獲得台大科林論文獎頭獎。畢業後即進入旺宏電子從事研發工作。目前個人已擁有三十餘篇論文，並獲得二十餘項各國專利。
為鼓勵研發新血，經濟部產業科技發展獎自第十四屆起於個人成就獎部份新增「傑出青年創新獎」的獎項，三年來共有8人獲得，其中兩位即為旺宏電子的研發人員。第十六屆產業科技發展獎頒獎典禮3日晚間於台灣中油公司國光廳舉行，將由行政院長劉兆玄及經濟部長尹啟銘共同頒獎表揚。